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一种蓝宝石衬底、加工方法及发光二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种蓝宝石衬底、加工方法及发光二极管的制备方法,根据本发明的一个实施例,该蓝宝石衬底加工方法包括以下步骤,提供一蓝宝石晶体,并对所述蓝宝石晶体进行预处理,加工出所述蓝宝石晶体的A面和C面;根据蓝宝石晶体R面、C面以及A面的角度关系,标记R面,并对所述R面进行切割,获得包括有所述R面的晶块;沿所述R面的垂直面进行掏棒,获得以所述R面为柱面的晶棒。本发明所述蓝宝石衬底加工方法可以有效的改善芯片的透光效果,提高切割的良品率,且因为所得芯粒的斜裂角为90°±1,可以很容易的判断芯片封装的固晶胶量,提高固晶效率。

著录项

  • 公开/公告号CN111778561B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 福建晶安光电有限公司;

    申请/专利号CN202010574800.X

  • 申请日2020-06-22

  • 分类号C30B33/00(20060101);H01L33/00(20100101);

  • 代理机构11479 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人高园园

  • 地址 362411 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园

  • 入库时间 2022-08-23 12:43:18

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