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公开/公告号CN111778561B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 福建晶安光电有限公司;
申请/专利号CN202010574800.X
发明设计人 郑贤良;刘聚斌;李瑞评;曾柏翔;杨胜裕;陈建明;庄昀芳;林冠宏;
申请日2020-06-22
分类号C30B33/00(20060101);H01L33/00(20100101);
代理机构11479 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人高园园
地址 362411 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
入库时间 2022-08-23 12:43:18
机译: 制备涂覆有半导体材料的蓝宝石衬底的方法,通过该方法可获得的涂覆的蓝宝石衬底以及这种衬底在发光二极管中的用途
机译: 制造涂覆有半导体材料的蓝宝石衬底的方法,通过该方法可获得的涂覆的蓝宝石衬底以及具有这种衬底的发光二极管
机译: 图案化的蓝宝石衬底和发光二极管
机译:高性能基于GaN的发光二极管的蓝宝石衬底处理:蓝宝石衬底的微图案化及其对基于GaN的发光二极管中光增强的影响
机译:一种简单的图形化石墨烯电极的制备方法及其在有机发光二极管阵列中的应用
机译:保留在冷冻芸苔中的矿物质成分取决于原料的初步加工方法和用于消费的冷冻产品的制备方法
机译:通过在大型取向不正确的蓝宝石衬底上生长的波浪形量子阱提高了紫外发光二极管的性能
机译:一种新的锡烷和一种新的基于自由基的杂环制备方法。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:在图案化蓝宝石衬底上的1个超高速GaN基青色发光二极管,用于1 Gbps塑料光纤通信
机译:多孔siC衬底发光二极管及其制备方法。