公开/公告号CN112751184B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202011591029.3
申请日2020-12-29
分类号H01Q1/38(20060101);H01Q1/48(20060101);H01Q1/50(20060101);H01Q23/00(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人陈一鑫
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 12:43:02
机译: 具有降低的散射特性的高均质低应力单晶的制备方法
机译: 具有低散射特性和高激光稳定性的大体积CaF2单晶的制造方法,通过该方法制造的晶体以及该晶体的使用
机译: 使用具有高辐射效率“辐射效率rsqb”的微带线的标签天线和制造方法,以及RFID标签