一种基于碘氧化铋薄膜的忆阻器、其制备方法及应用

摘要

本发明提供了一种基于碘氧化铋薄膜的忆阻器、其制备方法及应用。本发明中的忆阻器包括底电极，在所述底电极上制有由碘氧化铋薄膜构成的阻变功能层，在所述阻变功能层上制有顶电极。本发明采用碘氧化铋薄膜作为忆阻器的阻变功能层，碘氧化铋能够使器件内的氧空位变多，这些氧空位可作为顶电极和底电极之间稳定的导电通道，进而使得器件的电阻在发生变化时不会出现突变现象。本发明中的忆阻器由于采用了碘氧化铋薄膜作为器件的阻变功能层，因此，实现了器件对生物突触功能的模拟，包括短期可塑性、长期可塑性、双脉冲易化、尖峰时刻可塑性、学习‑遗忘‑再学习等，这意味着模拟人脑强大的计算能力和高效率的人工智能芯片有着乐观的发展前景。