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公开/公告号CN111525011B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-26
原文格式PDF
申请/专利权人 南京航空航天大学;
申请/专利号CN202010059157.7
发明设计人 阚彩侠;马琨傑;周祥博;姜明明;唐楷;
申请日2020-01-19
分类号H01L33/26(20100101);H01L33/40(20100101);H01L33/00(20100101);
代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人柏尚春
地址 210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号
入库时间 2022-08-23 12:40:00
机译: 基于N-ZNO / N-GAN / N-ZNO异质结的双向紫外发光二极管及其制备方法
机译: ZnO-SnO2纳米纤维-纳米线干支异质结构材料及其制备方法和含该材料的气体传感器
机译: N-ZNO / P-GAAS异质结光电二极管及其制备方法
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机译:基于有序ZnO纳米线/ Si1-xGex合金异质结的波长可调红外发光二极管
机译:基于p-NiO / n-ZnO纳米线异质结的紫外发光二极管
机译:半透明氧化锌:低温制备的铝/铜(I)氧化物薄膜异质结:结处本征ZnO缓冲层的作用
机译:基于单水平ZnO微棒/ GaN异质结的紫外/蓝色发光二极管
机译:热化学气相沉积的使用基于ZnO纳米线/ P-GaN异质结制造发光二极管
机译:ZnO pN结用于高效,低成本的发光二极管