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半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构、其制备方法及应用

摘要

本发明为半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构开发的技术领域,具体涉及一种半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构、其制备方法及应用。半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构,包括MOF及填充在MOF孔道内的半导体,在MOF孔道中的半导体空间排布具有周期性,且尺寸均一,所述半导体的粒径不大于MOF晶格中所对应的孔道直径,半导体与MOF骨架在空间上互补、与MOF孔道内壁拼接准确。本发明的半导体与MOF骨架空间互补的三维有序结构,半导体材料尺寸均一,排布周期性与介孔孔道一致,可以构筑出其它传统方法无法获得的三维堆积方式,因而更容易制备出活性极高的复合材料。

著录项

  • 公开/公告号CN112063183B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN202010822546.0

  • 发明设计人 邓鹤翔;江卓;徐晓晖;昝菱;

    申请日2020-08-14

  • 分类号C08L87/00(20060101);C08K3/22(20060101);B01J31/22(20060101);B01J31/38(20060101);B01J31/34(20060101);B01J35/00(20060101);

  • 代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人石超群

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

  • 入库时间 2022-08-23 12:38:31

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