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一种硫系玻璃基底低剩余反射率减反射薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硫系玻璃基底低剩余反射率减反射薄膜及其制备方法,属于真空镀膜技术领域。本发明通过膜系设计及工艺优化等手段在硫系玻璃基底上实现7.5μm‑10.5μm波段平均透过率大于98%,平均剩余反射率小于0.3%的低剩余反射率减反射薄膜的制备。本发明两侧膜系为对称结构,两面的膜系结构基本形式均为:Sub/x1H x2M x3H x4M x5H x6L x7M x8L x9M/Air,其中H、M、L分别代表高折射率膜层、中折射率膜层和低折射率膜层,两侧膜层应力一致,有助于提高镀膜基片的面形质量及机械性能。

著录项

  • 公开/公告号CN110989053B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津津航技术物理研究所;

    申请/专利号CN201911146836.1

  • 申请日2019-11-21

  • 分类号G02B1/115(20150101);

  • 代理机构11011 中国兵器工业集团公司专利中心;

  • 代理人王雪芬

  • 地址 300308 天津市东丽区空港经济区中环西路58号

  • 入库时间 2022-08-23 12:37:10

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