公开/公告号CN100485920C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-05-06
原文格式PDF
申请/专利权人 联华电子股份有限公司;
申请/专利号CN01143894.0
申请日2001-12-18
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人陈小雯
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-23 09:02:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-05-06
授权
授权
2003-09-17
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-07-02
公开
公开
2002-05-22
实质审查的生效
实质审查的生效
机译: 具有过渡金属氮氧化物粘附/腐蚀阻挡层和类金刚石碳外涂层双层的磁头/磁盘
机译: 具有金属阻挡层吸附性能的半导体器件,具有硅-碳-氧介电常数,并且形成方法相同
机译: 具有硅和碳作为主要骨架成分的有机硅高分子量化合物和所述有机硅高分子量化合物的制备方法