首页> 中国专利> 适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法

适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法

页面导航

摘要

本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法。该方法包括在硅片表面热生长一层SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-07-08

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/203 授权公告日:20090408 终止日期:20140517 申请日:20070517

专利权的终止
2009-04-08

授权

授权
2008-01-09

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-10-24

公开

公开

1. 适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法 [P] . 中国专利： CN101060078A . 2007-10-24
2. 适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法 [P] . 中国专利： CN100477094C . 2009-04-08
3. 量子点杂化纳米材料及其制备方法和光致发光器件 [P] . 世界知识产权组织专利： WO2020/143334A1 . 2020-07-16

机译：量子点杂化纳米材料及其制备方法和光致发光器件
4. 一种壳寡糖修饰的自携式无载体鼻腔纳米制剂脑靶向递送系统及其制备方法 [P] . 世界知识产权组织专利： WO2020/143662A1 . 2020-07-16

机译：一种壳寡糖修饰的自携式无载体鼻腔纳米制剂脑靶向递送系统及其制备方法
5. 一种用于防治早期神经退行性疾病的鼻腔纳米自噬诱导剂及其制备方法 [P] . 世界知识产权组织专利： WO2020/143688A1 . 2020-07-16

机译：一种用于防治早期神经退行性疾病的鼻腔纳米自噬诱导剂及其制备方法