公开/公告号CN110708479B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-08
原文格式PDF
申请/专利权人 广州印芯半导体技术有限公司;
申请/专利号CN201910603175.4
申请日2019-07-05
分类号H04N5/341(20110101);H04N7/22(20060101);H04B10/116(20130101);
代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人罗英;臧建明
地址 510710 广东省广州市黄埔区科学大道18号A栋11楼1103单元
入库时间 2022-08-23 12:35:32
机译: 具有光电门结构和感测晶体管的CMOS图像传感器,其操作方法以及包括该图像传感器的图像处理系统
机译: 具有光接收区域和凹陷的电荷传输单元的图像传感器以及包括该图像传感器的图像感测系统
机译: 具有光闸结构和感测晶体管的CMOS图像传感器及其包括的图像处理系统