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一种高阻尼CuAlMn形状记忆合金的制备方法

摘要

本发明为一种高阻尼CuAlMn形状记忆合金的制备方法。该方法包括如下步骤:第一步,将Cu51Zr14孕育剂颗粒与多层石墨烯混合球磨后,得到复合粉末;第二步,将复合粉末冷压成形,得到预制块体;第三步,在CuAlMn形状记忆合金熔炼时,加入Cu51Zr14孕育剂与多层石墨烯的预制块体,待CuAlMn形状记忆合金凝固后,重新升温至850~900℃,保温后于室温的水中淬火,制得高阻尼CuAlMn形状记忆合金。本发明克服了现有技术仅通过细化晶粒对阻尼性能提高有限,而通过第二相析出增加界面数量提高阻尼时,第二相的大小、数量较难控制等不足,使得CuAlMn形状记忆合金的阻尼性能显著提高。

著录项

  • 公开/公告号CN112481519B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河北工业大学;

    申请/专利号CN202011246267.0

  • 申请日2020-11-10

  • 分类号C22C9/01(20060101);C22C1/10(20060101);C22C1/03(20060101);C22C1/06(20060101);C22F1/08(20060101);C21D1/18(20060101);B22F9/04(20060101);B22F3/04(20060101);

  • 代理机构12210 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人赵凤英

  • 地址 300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#

  • 入库时间 2022-08-23 12:35:03

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