公开/公告号CN109467159B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 长春理工大学;长春市洁环光电科技有限公司;
申请/专利号CN201811446640.X
申请日2018-11-29
分类号H01L31/00(20060101);C02F1/30(20060101);C02F1/46(20060101);
代理机构22214 长春众邦菁华知识产权代理有限公司;
代理人王丹阳
地址 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号
入库时间 2022-08-23 12:34:38
机译: 具有ZnO纳米结构的半导体器件和使用该半导体器件的染料敏化太阳能电池
机译: 支持具有垂直结构的,能够防止微裂纹的半导体发光器件的基板,使用具有相同结构的具有垂直结构的半导体发光器件的制造方法以及具有半导体发光二极管的半导体器件的垂直结构
机译: 具有沟槽结构的半导体器件,具有沟槽结构的半导体器件的用途以及用于制造具有沟槽结构的半导体器件的方法