由硅制造掺杂半导体晶片的方法以及该半导体晶片

摘要

本发明涉及一种由硅制造掺杂半导体晶片的方法，这些掺杂半导体晶片含有一种诸如硼、磷、砷或锑的电活性掺杂剂，并任选额外用锗掺杂，且具有特定的热导率，其中，由硅制成单晶，并进一步加工成半导体晶片，而所述热导率是通过选择电活性掺杂剂的浓度并任选由锗的浓度加以调节。本发明还涉及根据该方法由硅制成的半导体晶片，其具有关于热导率和电阻率的特定性能。