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一种用于等离子体喷涂的纳米SiC改性纳米结构莫来石粉体喂料的制备方法

摘要

一种用于等离子体喷涂的纳米SiC改性纳米结构莫来石粉体喂料的制备方法,属于热防护涂层领域,特别是环境障涂层和热/环境障涂层的技术领域。本发明中的纳米SiC在高温下会氧化为SiO2,从而会对裂纹起到一定的弥补和愈合作用,延长涂层的使用寿命。本发明采用球磨混粉、喷雾干燥、固相烧结(或者固相烧结后等离子处理)制备了纳米结构或者改性纳米结构莫来石粉体喂料。本发明粉体材料用于制备环境障涂层和热/环境障涂层。

著录项

  • 公开/公告号CN110395993B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201910676572.4

  • 发明设计人 王铀;贾近;刘勇;王澜;

    申请日2019-07-25

  • 分类号C04B35/626(20060101);C04B35/634(20060101);C04B35/64(20060101);C04B35/185(20060101);

  • 代理机构23211 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司;

  • 代理人张金珠

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 12:34:25

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