公开/公告号CN110578124B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-01
原文格式PDF
申请/专利号CN201911004499.2
申请日2019-10-22
分类号C23C14/32(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/20(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/06(20060101);
代理机构11467 北京德崇智捷知识产权代理有限公司;
代理人高琦
地址 100715 北京市海淀区学院南路12号
入库时间 2022-08-23 12:34:22
机译: Si Si Ni化学气相沉积法在硅基体上制备镍薄膜的方法以及在硅基体上制备硅化镍薄膜的方法
机译: 化学气相沉积法在硅基体上制备镍薄膜的方法,以及在硅基体上制备硅化镍薄膜的方法
机译: Si Si Ni化学气相沉积法在硅基体上制备镍薄膜的方法以及在硅基体上制备硅化镍薄膜的方法