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一种高导热率纯质多孔碳化硅材料及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及多孔材料领域,具体地说是一种高导热率纯质多孔碳化硅材料及其制备方法和应用。该多孔碳化硅材料由三维连通的纯质碳化硅网络和三维连通的孔隙网络通过相互贯穿的方式构建而成。其中,碳化硅网络由碳化硅晶粒通过晶界连接而成,以保证多孔碳化硅材料的高导热率。采用本发明所述的结构设计和制备方法,可制得孔隙尺寸、孔隙率高度可调的高导热率纯质多孔碳化硅材料。本发明所述的纯质多孔碳化硅材料是一种新型的多孔材料,制备工艺简单、效率高,其具有广泛的应用前景,可应用于如下诸多领域:复合材料增强体、散热材料、电磁屏蔽材料、吸波材料、过滤器、生物材料、催化载体材料、电极材料、吸声/降噪材料。

著录项

  • 公开/公告号CN110746192B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院金属研究所;

    申请/专利号CN201810814909.9

  • 发明设计人 张劲松;金鹏;曹小明;李处森;

    申请日2018-07-24

  • 分类号C04B35/573(20060101);C04B35/622(20060101);C04B38/06(20060101);

  • 代理机构21234 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张志伟

  • 地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

  • 入库时间 2022-08-23 12:31:54

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