首页> 中国专利> 半导体异质结构及包括该半导体异质结构的发光二极管

半导体异质结构及包括该半导体异质结构的发光二极管

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

一种应变半导体异质结构(10)包括：注入区，其包括具有p型传导性的第一发射极层(11)和具有n型传导性的第二发射极层(12)；以及光产生层(13)，其位于第一发射极层(11)和第二发射极层(12)之间。电子俘获区(14)位于光产生层(13)和第二发射极层(12)之间，该电子俘获区包括邻近第二发射极层的俘获层(16)、以及邻近该电子俘获层的局限层(15)。根据本发明，局限层(15)和俘获层(16)的宽度和材料选择成使俘获层(16)中电子的局域能级中的一个能级和第二发射极层(12)的导带底之间能量差等于光声子的能量。

著录项

公开/公告号CN100470858C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-03-18

原文格式PDF
申请/专利权人奥普特冈有限公司;
展开▼

申请/专利号CN200580038404.9
发明设计人马克西姆·欧得诺莱多夫;弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫;
展开▼

申请日2005-09-19
分类号
代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司;
代理人颜涛
地址芬兰埃斯波
入库时间 2022-08-23 09:02:01

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-11-05

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20090318 终止日期:20130919 申请日:20050919

专利权的终止
2009-03-18

授权

授权
2007-12-12

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-10-17

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 半导体异质结构及包括该半导体异质结构的发光二极管 [P] . 中国专利： CN100470858C . 2009.03.18
2. 半导体异质结构和包括该异质结构的光伏电池 [P] . 中国专利： CN103688366A . 2014-03-26
3. Method comprising forming device heterostructure including ohmic contact to semiconductor layer and device including device heterostructure including ohmic contact to semiconductor layer [P] . 日本专利： JP6186380B2 . 2017-08-23

机译：方法包括：形成包括与半导体层的欧姆接触的器件异质结构以及包括包括与半导体层的欧姆接触的器件异质结构的器件
4. METHOD FOR MANUFACTURING HETEROJUNCTION FIN STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HETEROJUNCTION FIN STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING FIN-HFET BASED ON HETEROJUNCTION FIN STRUCTURE, AND FIN-HFET BASED ON HETEROJUNCTION FIN STRUCTURE [P] . 韩国专利： KR101592513B1 . 2016-02-05

机译：制造异质结鳍片结构的方法，具有异质结鳍片结构的半导体器件，基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
5. Energy Analysis method for a semiconductor heterostructure, performance prediction methods and design method of a semiconductor device having a semiconductor heterostructure [P] . 日本专利： JP3649594B2 . 2005-05-18

机译：用于半导体异质结构的能量分析方法，性能预测方法和具有半导体异质结构的半导体器件的设计方法