一种含有L1₂有序相的Ni基多层膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种含有L1₂有序相的Ni基多层膜的制备方法，包括以下步骤：步骤（1）：选择厚度为0.5 mm且表面附有500 nm的SiO₂的单晶硅片作为基底，清洗、吹干后，准备镀膜。步骤（2）：采用直流磁控溅射法，在基体上施加‑60~‑100 V的偏压，预溅射20~30 min，清洗基片。本发明提供的一种含有L1₂有序相的Ni基多层膜的制备方法，解决了Ni基金属薄膜在600℃温度下或经该温度退火处理后强度不足的问题，本发明操作简单，条件易于控制，重复性好，可用于实际应用，也为研究其他金属多层膜高温力学性能的改善提供了指导作用。