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公开/公告号CN113106548B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 东莞理工学院;
申请/专利号CN202110378845.4
发明设计人 李涛;
申请日2021-04-08
分类号C30B29/32(20060101);C30B9/12(20060101);
代理机构11813 北京锦信诚泰知识产权代理有限公司;
代理人倪青华
地址 523808 广东省东莞市松山湖区大学路1号
入库时间 2022-08-23 12:27:55
机译: Fe-Ga基合金高性能,高均匀大尺寸单晶的制造方法及装置
机译: 单晶熔体液位调节装置,包括该调节装置的单晶生长装置和单晶熔体液位调节方法
机译: 基于热屏蔽层温度的单晶熔体水平控制装置,单晶生长装置以及控制单晶熔体水平的方法
机译:一种抑制大尺寸SiC单晶生长过程中生长诱导多型域的新方法
机译:使用顶部种子熔体生长工艺生长大尺寸y Ba _2Cu _3O _7单晶
机译:一种通过熔盐热解的合成高性能超级电容器的新型测序整合系统中的熔盐热解
机译:用于高性能压电器件的助焊剂生长的PZN-PT单晶
机译:激光加热基座生长(LHPG)技术生长的铌基氧化物陶瓷和单晶纤维的电性能
机译:一种基于选择性激光烧结的新型高性能碳纤维/聚酰胺12 /环氧三元复合材料的制备方法
机译:Na基助熔剂生长低位错大尺寸GaN单晶及其生长机理的阐明
机译:热压si(sub 3)N(sub 4)/ siC增强复合材料的熔盐腐蚀和熔盐暴露对热压si(sub 3)N(sub 4)的缓慢裂纹生长的影响。