一种低摩擦含氟洋葱碳膜及其直接在硅基底上制备的方法

摘要

本发明提供了一种低摩擦含氟洋葱碳膜及其直接在硅基底上制备的方法，首先采用阳极电泳沉积技术在硅片上制备出含氟有机羧酸分子膜，然后在惰性气体保护下对其进行退火处理，最终可以直接在硅基底上制备出具有优异摩擦学性能的洋葱碳材料。本发明所制备的洋葱碳纯度高，而且工艺简单，操作简便，成本低，能耗低，可控性好，具有可大批量生产、经济效益显著等优点，并且由于洋葱碳中含有可降低表面能的氟，因此能大幅度提高材料的摩擦学性能，适用于硅基MEMS/NEMS零部件的润滑。