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检测热影响区温度的系统和方法及存储介质

摘要

本申请提出了一种检测热影响区温度的系统和方法及存储介质,其中,在预估的基体的热影响区的不同位置设置有不同深度的多个测温点,通过激光器对基体进行激光熔覆,所述系统包括:与多个测温点一一对应设置的多个温度传感器,用于检测对应测温点的温度;数据装置,用于获取温度检测数据,记录熔覆时间,根据温度检测数据和熔覆时间获得熔覆方向上各个测温点的温度时间曲线,以及根据熔覆速度将不同时刻的温度时间曲线转换为同一时刻热影响区的温度空间分布,根据温度空间分布获得热影响区的温度数据。本申请的检测热影响区温度的方法和系统,可以直接测量获得准确可靠的温度参数,为研究材料的组织梯度、力学性能演化提供数据基础。

著录项

  • 公开/公告号CN111256859B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201910386431.9

  • 申请日2019-05-09

  • 分类号G01K7/06(20060101);

  • 代理机构11742 北京景闻知识产权代理有限公司;

  • 代理人卢春燕

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园

  • 入库时间 2022-08-23 12:26:07

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