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像素电路和提取电路参数并提供像素内补偿的方法

摘要

本发明涉及像素电路和提取电路参数并提供像素内补偿的方法。所述像素电路包括发光装置、驱动晶体管、编程输入端以及用于存储编程信号的存储装置,所述方法包括以下步骤:通过下述步骤导致所述像素电路的像素内补偿:将参考电压从第一线施加至所述存储装置以基于所述参考电压对所述存储装置进行充电,并且使电流从第一节点向第二线转向,以消除不期望的发光,从而对所述驱动晶体管和所述发光装置中的至少一者的变化或老化进行自补偿,所述第一节点位于所述驱动晶体管和所述发光装置之间,和使用所述像素电路外部的电路从所述像素电路提取所述电路参数;以及随后,使用已经基于提取的所述电路参数进行补偿后的编程信息驱动所述像素电路。

著录项

  • 公开/公告号CN107967897B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 伊格尼斯创新公司;

    申请/专利号CN201711202814.3

  • 发明设计人 戈尔拉玛瑞扎·恰吉;

    申请日2014-12-05

  • 分类号G09G3/3233(20160101);G09G3/3291(20160101);

  • 代理机构11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人卫李贤;曹正建

  • 地址 加拿大安大略

  • 入库时间 2022-08-23 12:25:38

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