单壁碳纳米管器件集成方法

摘要

本发明提供一种单壁碳纳米管器件集成方法，属于纳电子器件技术领域。该方法包括：(1)超长单壁碳纳米管阵列排布在异质基底上；(2)异质基底调控单壁碳纳米管的能带结构，沿管轴方向将碳纳米管进行切割，形成n型纳米管段、p型纳米管段、金属型纳米管段以及p-n结等器件单元；(3)根据电路设计，将所需的碳纳米管段与源、漏电极及栅极相连后，互联成为集成电路。本发明可以高效、可控的实现大量碳纳米管器件的集成，为碳纳米管在纳电子器件领域实用化提供了可行的途径，具有广阔的应用前景。