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二茂铁修饰的氧化石墨烯-聚吡咯纳米管吸波材料及其制备方法

摘要

本发明公开了二茂铁修饰的氧化石墨烯‑聚吡咯纳米管吸波材料及其制备方法。本发明是吡咯在氧化剂作用下以模板法和化学氧化聚合法原位生成聚吡咯纳米管/二茂铁修饰氧化石墨烯的复合物,作为二茂铁修饰的氧化石墨烯‑聚吡咯纳米管吸波材料。本发明提供的吸波材料是一种新型的复合材料,拓展了二茂铁修饰碳材料的复合材料在吸波材料领域的应用,且该复合物材料对电磁波具有良好的吸收性能。

著录项

  • 公开/公告号CN112175389B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN202011040627.1

  • 发明设计人 俞豪杰;林腾飞;王立;

    申请日2020-09-28

  • 分类号C08L79/04(20060101);C08K9/04(20060101);C08K3/04(20060101);C08G73/06(20060101);C09K3/00(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人林超

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2022-08-23 12:24:45

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