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一种分子束外延源料冷却方法

摘要

本发明公开了一种分子束外延源料冷却方法,包括步骤:分子束外延工艺结束后,坩埚托架带动坩埚缓慢下降移出高温区间,使坩埚中的源料自下而上逐渐凝固,直至坩埚中的源料全部凝固。本发明具有操作简便,可在普通热蒸发源的基础上实现大容量、大束流、高可靠性的源料蒸发与冷却等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN112538654B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN202011311954.6

  • 申请日2020-11-20

  • 分类号C30B23/06(20060101);C23C14/54(20060101);C23C14/24(20060101);

  • 代理机构43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙);

  • 代理人徐好

  • 地址 410000 湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1698号麓谷科技创新创业园A1栋1-1023房

  • 入库时间 2022-08-23 12:22:23

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