退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN107430537B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201680012438.9
发明设计人 D·达斯;B·纳莱;K·S·贝恩斯;J·B·哈尔伯特;
申请日2016-03-07
分类号G06F11/10(20060101);G06F3/06(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人刘瑜;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 12:22:17
机译: 从片上动态随机访问存储器(DRAM)错误更正码(ECC)中提取选择性信息
机译: 从片上DRAM ECC中提取选择性信息
机译:正交拉丁方码中的自适应错误校正,用于低功耗,弹性片上互连网络
机译:具有片上错误校正码的4MB异步SRAM
机译:片上ECC电路,用于通过沟槽电容器校正DRAM中的软错误
机译:快速,最小的解码复杂度,系统级,用于片上DRAM应用的二进制系统(41、32)单错误校正码
机译:高密度动态随机存取存储器阵列中由α粒子引起的软错误的分析。
机译:校正:校正:改进的检测与多形性信息告知条件的错误发现率的精神分裂症和双相情感障碍相关的常见变异
机译:搜索突发错误校正循环码和短周期码的有效算法=高效循环码和短循环码搜索算法bug突发校正器
机译:错误检测与校正码的研究