公开/公告号CN108558405B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 成都超纯应用材料有限责任公司;
申请/专利号CN201810164824.0
发明设计人 白秋云;
申请日2018-02-27
分类号C04B35/565(20060101);C04B35/622(20060101);
代理机构51217 成都睿道专利代理事务所(普通合伙);
代理人薛波
地址 610200 四川省成都市双流区西航港空港二路1166号
入库时间 2022-08-23 12:22:09
机译: 能够生产高纯度高密度碳化硅烧结体和碳化硅粉的碳化硅粉的制造方法
机译: 高纯度碳化硅粉及碳化硅单晶的制备方法,用于生产碳化硅单晶
机译: 一种高密度碳化硅烧结体的制备方法