首页> 中国专利> 一种高致密度高纯度碳化硅衬底材料的制备方法

一种高致密度高纯度碳化硅衬底材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种高致密度高纯度碳化硅衬底材料的制备方法,包括以下步骤:S1、β‑碳化硅和α‑碳化硅混合,其中β‑碳化硅占β‑碳化硅和α‑碳化硅质量之和的1‑15%;S2、将步骤S1所得原料置于球磨机内进行混料24小时,然后将粉末取出,过筛后将粉末置于模具中进行热压烧结。该制备工艺不仅提高了α‑碳化硅粉末烧结致密化程度,同时也避免了传统烧结助剂对材料本身性能的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN108558405B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都超纯应用材料有限责任公司;

    申请/专利号CN201810164824.0

  • 发明设计人 白秋云;

    申请日2018-02-27

  • 分类号C04B35/565(20060101);C04B35/622(20060101);

  • 代理机构51217 成都睿道专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人薛波

  • 地址 610200 四川省成都市双流区西航港空港二路1166号

  • 入库时间 2022-08-23 12:22:09

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号