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磁阻抗器件、使用磁阻抗器件的传感器设备和用于制造磁阻抗器件的方法

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摘要

一种磁阻抗器件包括半导体基片(22、322)和用于检测磁场的磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)。磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)被置于基片(22、322)上。磁性传感器设备具有最小尺寸并且是以低制造成本制成的。在此，磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)以以下方式来检测磁场：当交流电被施加给器件(1、2、301、301A、301B)时，器件(1、2、301、301A、301B)的阻抗依照该磁场而变化，并且阻抗是通过外部电路(312、313、314、315)来测量的。

著录项

  • 公开/公告号CN100468523C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社电装;

    申请/专利号CN200310118343.X

  • 发明设计人 青建一;铃木康利;山寺秀哉;太田则一;船桥博文;

    申请日2003-11-21

  • 分类号G11B5/39(20060101);G01R33/09(20060101);H01L43/08(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人王岳;梁永

  • 地址 日本爱知县刈谷市

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/39 授权公告日:20090311 终止日期:20151121 申请日:20031121

    专利权的终止

  • 2009-03-11

    授权

    授权

  • 2004-08-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-06-09

    公开

    公开

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