公开/公告号CN100463208C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-02-18
原文格式PDF
申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;
申请/专利号CN200610148451.5
发明设计人 何家骅;
申请日2006-11-10
分类号H01L27/22(20060101);H01L43/08(20060101);G11C11/02(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人韩宏
地址 中国台湾新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-23 09:01:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-02-18
授权
授权
2007-07-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-05-23
公开
公开
机译: 用于信息存储的磁性随机存取存储器,其字线位于MOS晶体管与磁存储元件之间并与元件绝缘,位线与元件接触并介于字线与元件之间
机译: 用于数据存储的闪存设备编程方法,包括向选定的字线施加编程电压以降低存储单元晶体管的沟道电势
机译: 非易失性存储器,字线电压产生方法,其编程方法和读取方法,具有相同功能的存储器系统和电子设备