首页> 中国专利> 包括单字线晶体管的磁性存储元件的系统及其读取和编程方法

包括单字线晶体管的磁性存储元件的系统及其读取和编程方法

摘要

一种包括有磁性金属层以及邻近于此磁性金属层的磁感测设备的MRAM单元。此磁性金属层的一端连接至字线晶体管,且其中包括一个二极管并用于使此磁感测设备连接至位线。此磁性金属层可用于编程并读取此单元,而排除此单元中对第二电流线的需要。

著录项

  • 公开/公告号CN100463208C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200610148451.5

  • 发明设计人 何家骅;

    申请日2006-11-10

  • 分类号H01L27/22(20060101);H01L43/08(20060101);G11C11/02(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人韩宏

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园区

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-02-18

    授权

    授权

  • 2007-07-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-05-23

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号