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字节使能存储器内建自测试(MBIST)算法

摘要

一种用于存储器内建自测试(MBIST)的方法和装置可被配置成:从MBIST控制器加载测试程序,执行该测试程序,以及确定通过/未通过结果并将其写入读出寄存器。例如,在各个实施例中,测试程序可包括一个或多个写操作,该一个或多个写操作被配置成:在断言字节使能信号时将存储在多个存储器位单元中的数据从第一值改变为第二值,以便测试与存储器位单元相关联的稳定性;由于字节使能模式应力而创建DC和AC噪声;检查全速字节使能模式定时;以及执行可被设计成验证是否在数据输入(Din)引脚处接收到数据的自检算法。在执行(诸)写操作之后,任何存储与预期值不同的值的存储器位单元可被标识为未通过MBIST。

著录项

  • 公开/公告号CN111247588B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201880065871.8

  • 发明设计人 G·希科;F·阿迈德;C·郑;

    申请日2018-09-06

  • 分类号G11C29/16(20060101);G11C29/50(20060101);G11C29/04(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陈炜;亓云

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 12:21:22

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