一种飞秒激光在硅表面制备亚微米同心圆环的方法

摘要

本发明涉及一种飞秒激光在硅表面制备亚微米同心圆环的方法，属于激光应用领域。本发明将飞秒激光单脉冲垂直入射透过具有一定厚度的钒酸钇晶体，得到偏振方向互相垂直的、脉冲能量相等的具有一定脉冲延迟的飞秒激光双脉冲序列，钒酸钇晶体的厚度的范围应满足，使得相应波长的飞秒激光单脉冲透过后产生的双脉冲脉冲延迟范围约为0.5ps‑1.5ps；然后使用衰减片将飞秒激光双脉冲的总能量密度调整到待加工样品材料硅的烧蚀阈值的1.6倍至2.2倍；然后将此垂直偏振的飞秒激光双脉冲通过平凸透镜垂直聚焦到待加工材料表面；使用光学开关打开时间控制聚焦到材料表面脉冲序列的个数为4‑6个，单点辐照硅材料表面，即可在硅表面制备出亚微米同心圆环结构。