具有低导通电阻的横向功率集成器件

摘要

一种横向功率集成器件包括：源极区和漏极区，它们设置在半导体层内，并且在第一方向上彼此间隔开；漂移区，具有第二导电性，设置在半导体层内并且包围漏极区；沟道区，在第一方向上布置在源极区与漂移区之间；多个平面绝缘场板，它们设置在漂移区之上，并且在第二方向上彼此间隔开；多个沟槽绝缘场板，它们设置在漂移区内；栅绝缘层，形成在沟道区之上；以及栅电极，形成在栅绝缘层之上。沟槽绝缘场板中的每个在第二方向上设置在平面绝缘场板之间。