反极性垂直发光二极管及其制备方法

摘要

一种反极性垂直发光二极管及其制备方法，该反极性垂直发光二极管包括：基板；n型电极，位于所述基板之上；n型GaN基半导体层，位于所述n型电极之上；发光层，位于所述n型GaN基半导体层之上；p型GaN基半导体层，位于所述发光层之上；p型电极，位于所述p型GaN基半导体层之上；其中，所述n型GaN基半导体层、发光层和p型GaN基半导体层在自下而上的方向上均表现为氮极性，在自上而下的方向上均表现为金属极性。本发明综合反极性和垂直结构的优势，可有效提高p型GaN基半导体层的空穴浓度，抑制量子阱有源区的量子限制斯塔克效应，从而提高LED的辐射复合效率和内量子效率，改善LED的发光性能和可靠性。