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一种易于曝光对位的反极性红外发光二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种易于曝光对位的反极性红外发光二极管的制备方法,通过对对位标记位置的表面进行处理,破坏其与反射镜的粘附性,在衬底腐蚀中,剩余很薄的外延层会与永久衬底分离,同时将对位标记印在了反射镜金属上,因此可以直接用于后续的曝光对位,不需要对曝光机的CCD进行改造,降低成本,且兼容可见光产品。

著录项

  • 公开/公告号CN113948615A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东浪潮华光光电子股份有限公司;

    申请/专利号CN202010685780.3

  • 申请日2020-07-16

  • 分类号H01L33/00(20100101);H01L33/46(20100101);

  • 代理机构37219 济南金迪知识产权代理有限公司;

  • 代理人许德山

  • 地址 261061 山东省潍坊市高新区金马路9号

  • 入库时间 2023-06-19 13:55:46

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