公开/公告号CN108304663B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-13
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201810114825.4
发明设计人 王伟;
申请日2018-02-06
分类号G06F30/367(20200101);G06F115/06(20200101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人焦天雷
地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 12:18:35
机译: 具有高频稳定特性的射频晶体管封装和形成具有高频稳定特性的射频晶体管封装的方法
机译: 具有高频稳定特征的射频晶体管封装以及形成具有高频稳定特征的射频晶体管封装的方法
机译: 具有内部谐波频率降低的射频功率晶体管封装以及形成具有内部谐波频率降低的射频功率晶体管封装的方法