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射频晶体管射频参数模型建立方法

摘要

本发明公开了一种射频晶体管射频参数模型建立方法,包括:将射频晶体管按其物理尺寸描述为一空间区域,将该空间区域根据预设物理尺寸划分为4n个子空间区域,每个子空间区域对应一个器件;选择位于该空间区域8个顶点位置的子空间区域,分别对该8个子空间区域对应的器件建立模型提取射频参数;将该8个子空间区域射频参数与其该子空间区域的预设物理尺寸形成8元一次方程组,将该8元一次方程组作为该空间区域射频参数的解析表达式;对该8元一次方程组求解得出各解析参数;根据上述步骤对所有物理尺寸的射频晶体管建立8元一次方程组,进而形成物理尺寸与每个射频晶体管解析表达式之间的对应关系。本发明能提升射频参数模型精度并提高射频参数模型建立效率。

著录项

  • 公开/公告号CN108304663B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201810114825.4

  • 发明设计人 王伟;

    申请日2018-02-06

  • 分类号G06F30/367(20200101);G06F115/06(20200101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人焦天雷

  • 地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 12:18:35

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