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高计数率阻性微井型探测器放大单元的制备方法

摘要

本公开提供一种高计数率阻性微井型探测器放大单元的制备方法,包括:步骤S1:制备基材层;步骤S2:制备读出电极PCB;步骤S3:将步骤S1制备的基材层与步骤S2制备的读出电极PCB通过Pre‑preg层粘接;步骤S4:制备导电过孔;步骤S5:刻蚀基材层至DLC上表面形成井型放大孔阵列;以及步骤S6:移除导电过孔上表面附近的铜层,完成高计数率阻性微井型探测器放大单元的制备。

著录项

  • 公开/公告号CN111564348B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学技术大学;

    申请/专利号CN202010330888.0

  • 申请日2020-04-23

  • 分类号H01J9/00(20060101);H01J43/04(20060101);G01T1/26(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人吴梦圆

  • 地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

  • 入库时间 2022-08-23 12:17:56

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