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一种基于NaF形状调节剂的纳米碳化硅颗粒的制备方法

摘要

一种基于NaF形状调节剂的纳米碳化硅颗粒的制备方法,它属于碳化硅制备、半导体材料制备技术领域,它要解决现有碳化硅粉体的制备存在成本高、反应温度高、过程不易控制、工艺复杂、产率低、纯度较低和粒径分布不均匀的问题。方法:一、碳前驱体的制备;二、碳前驱体、NaF、纳米硅微粉和乙醇溶液球磨后喷雾干燥,得混合物料;三、混合物料高温烧结炉,得到预产物;四、除杂处理。本发明通过NaF、硅源以及碳源的相互作用,有效抑制碳化硅的过饱和的线状生长,控制粒子形貌与粒径。本发明的制备方法简单,反应温度适中、过程易控制,从而提高了生产效率,并且产品纯度高,粒径分布均匀。本发明应用于纳米级碳化硅颗粒的制备。

著录项

  • 公开/公告号CN111591995B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 黑龙江冠瓷科技有限公司;

    申请/专利号CN202010573128.2

  • 发明设计人 王志江;

    申请日2020-06-22

  • 分类号C01B32/984(20170101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构23213 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司;

  • 代理人侯静

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区邮政街副434号哈工大科技园大厦十层1009房间

  • 入库时间 2022-08-23 12:17:55

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