一种硫化钴掺杂聚丙烯腈薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了，本发明公开了一种硫化钴掺杂聚丙烯腈薄膜及其制备方法。这种薄膜是先由聚丙烯腈凝胶引导无机物原料析出硫化钴纳米晶体，获得一种有机无机纳米混合浆料，其中无机物原料与聚丙烯腈凝胶和分散剂的质量比为1:20～30:2；浆料经过高温环化反应之后，便可获得含有赝电容性质的硫化钴‑聚丙烯腈薄膜；若浆料涂覆在泡沫镍集流体基材表面，则高温环化后形成的薄膜和集流体可以构成赝电容，其电容值可超500F/g，2000次循环充放电之后电容容量剩余率达到70％以上。