公开/公告号CN110875402B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201810996818.1
申请日2018-08-29
分类号H01L31/09(20060101);H01L31/0264(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构51124 成都虹桥专利事务所(普通合伙);
代理人张小丽;梁鑫
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 12:16:54
机译: 包含金属氧化物薄膜和聚合物复合薄膜的层状纳米薄膜的制备方法,包含金属氧化物薄膜和聚合物复合薄膜的层状纳米薄膜的制备方法
机译: 复合半导体薄膜的制备方法,复合半导体薄膜的前体薄膜和复合半导体薄膜
机译: 高密度CIS基复合薄膜的制备方法及采用CIS基复合薄膜制备的薄膜太阳能电池的制备方法