一种深紫外线发光二极管及其制备方法

摘要

本发明提供一种深紫外线发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。所述深紫外线发光二极管包括：基板，设置在基板上的N型半导体层、发光层、P型半导体层；连接在N型半导体层上的第一电极垫；连接在P型半导体层上的第二电极垫；其中第一电极垫包含金属多层交替结构的欧姆电极。本发明通过设置金属多层交替结构的欧姆电极，并提供新的台面刻蚀工艺，解决了传统工艺欧姆电极接触电阻高、耐高温性差、易老化、外观粗糙等问题。