存储器单元、半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法

摘要

在本发明的存储器单元(1)中，通过设置依次层叠形成下部存储器栅极绝缘膜(10)、电荷存储层(EC)、上部存储器栅极绝缘膜(11)及金属存储器栅极(MG)的存储器栅极构造体(2)、和沿着设置在存储器栅极构造体(2)的侧壁的一侧壁隔板(8a)具有金属第一选择栅极(DG)的第一选择栅极构造体(3)、和沿着设置在存储器栅极构造体(2)的侧壁的另一侧壁隔板(8b)具有金属第二选择栅极(SG)的第二选择栅极构造体(4)，能够由与金属逻辑栅极(LG1)相同的金属材料形成金属存储器栅极(MG)、金属第一选择栅极(DG)及金属第二选择栅极(SG)，从而在半导体基板上形成由金属材料构成的金属逻辑栅极(LG1)的一系列的制造工序中能够形成存储器单元。