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具有闪速存储器控制器的键合的存储设备及其制造和操作方法

摘要

公开了具有闪速存储器控制器的键合的存储设备以及其制造和操作方法的实施例。在一示例中,存储设备包括第一半导体结构,该第一半导体结构包括闪速存储器控制器、外围电路和包括多个第一键合接触部的第一键合层。该存储设备还包括第二半导体结构,该第二半导体结构包括NAND存储单元阵列和包括多个第二键合接触部的第二键合层。该存储设备进一步包括在第一键合层与第二键合层之间的键合界面。第一键合接触部在键合界面处与第二键合接触部相接触。

著录项

  • 公开/公告号CN110537260B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201980001519.2

  • 发明设计人 程卫华;刘峻;

    申请日2019-07-24

  • 分类号H01L27/11524(20170101);H01L27/11526(20170101);G11C16/04(20060101);G11C16/10(20060101);G11C16/26(20060101);

  • 代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;

  • 代理人张殿慧;刘健

  • 地址 430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

  • 入库时间 2022-08-23 12:14:37

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