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用于温度补偿表面声波器件或体声波器件的衬底

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本发明涉及一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热膨胀系数比硅的热膨胀系数更接近压电层(10)的材料的热膨胀系数，半导体层(111)被设置在压电层(10)与加强衬底(110)之间。

著录项

公开/公告号CN108475722B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-30

原文格式PDF
申请/专利权人索泰克公司;
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申请/专利号CN201680079260.X
发明设计人 M·波卡特;T·巴尔格;帕斯卡·昆纳德;I·拉杜;E·德斯邦内特斯;奥列格·科农丘克;
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申请日2016-12-21
分类号H01L41/08(20060101);H01L41/312(20060101);H03H9/02(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人黄纶伟
地址法国伯尔宁
入库时间 2022-08-23 12:13:53

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专利
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1. 用于温度补偿表面声波器件或体声波器件的衬底 [P] . 中国专利： CN108475722B . 2021.07.30
2. 用于温度补偿表面声波器件或体声波器件的衬底 [P] . 中国专利： CN108475722A . 2018-08-31
3. Substrates for temperature compensated surface acoustic wave devices or bulk acoustic wave devices [P] . 日本专利： JP2019506043A . 2019-02-28

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5. High piezoelectric coupling, low diffraction loss, temperature compensated berlinite substrate members for surface acoustic wave devices [P] . 美国专利： US4109173A . 1978-08-22

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