绝缘栅双极晶体管及其栅极制作方法、IPM模块及空调器

摘要

本发明公开一种绝缘栅双极晶体管及其栅极制作方法、IPM模块及空调器，绝缘栅双极晶体管的栅极制作方法包括以下步骤：准备半导体衬底；在半导体衬底的第一表面进行刻蚀以形成沟槽；利用惰性粒子和/或氧化剂轰击沟槽的底部，以形成损伤层；对沟槽的侧壁及损伤层进行氧化，以在沟槽内壁面形成栅极氧化层；在沟槽中填充多晶硅以形成多晶层；将绝缘材料自第一表面覆盖于多晶层的顶部以形成绝缘层。本发明实现了缩短绝缘栅双极晶体管的开/关时间，同时保证绝缘栅双极晶体管有较优的导通阈值电压，也即较低的导通压降，有利于优化导通压降和开关时间之间的折中关系。