一种金属氧化物半导体气敏材料及其制备和应用

摘要

本发明提出一种金属氧化物半导体气敏材料，所述金属氧化物半导体气敏材料是半导体CeO₂与SnO₂异质结合的体系，在CeO₂晶格内引入了过渡金属Mn⁴⁺，所述金属氧化物半导体气敏材料的化学式为Ce_xMn_1‑xO₂‑SnO₂，0＜x＜1本发明还提出所述金属氧化物半导体气敏材料的制备和应用。本发明将水热法和浸渍法结合，制备出了Ce_xMn_1‑xO₂‑SnO₂气敏材料，将半导体CeO₂与SnO₂异质结合，并将过渡金属Mn⁴⁺引入CeO₂晶格内，以掺杂过渡金属的稀土元素半导体气敏材料制成传感器，提高了对气体的检测灵敏度。