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公开/公告号CN111411343B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-27
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN202010055690.6
发明设计人 洪正敏;李若凡;游龙;
申请日2020-01-17
分类号C23C16/26(20060101);C23C16/02(20060101);C01B32/186(20170101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人彭翠;李智
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2022-08-23 12:11:49
机译: 用相同的方法制造大尺度单晶硅单层正硼氮化物和单晶基质金属生长石墨烯的hBN方法和装置
机译: 一种用于绘画含石墨烯的非铁金属的无机涂料的制备方法以及一种用于绘画含石墨烯的非铁金属的无机涂料组合物
机译:单晶单层石墨烯在石英玻璃上电沉积铜膜上的单晶单层石墨烯的生长和载体运输性能
机译:Cu(111)上单层石墨烯的PD纳米能器的生长(111)
机译:对-己二苯基在Ir(111)和Ir(111)负载的石墨烯上的扩散和亚单层生长
机译:Si单晶体表面(100)和(111)的原子取代方法外延生长的机制和在单晶中生长的Si膜的表面上的表面(100)和(111)
机译:单层石墨烯生长过程中Pd(111)表面台阶动力学
机译:大的单晶畴的成核控制硅掺杂铁催化剂制备单层六方氮化硼
机译:Ni(111)表面单层石墨烯生长的大规模原子模拟:基于新一代碳-金属势的分子动力学模拟
机译:钨单晶的制备与性能。第一部分单晶钨的生长用于轧制单晶板。第二部分。卷式单晶钨板