机译:SiC衬底上石墨烯生长的原子机理:基于新的电荷转移键序型电势的大规模分子动力学模拟
机译:石墨烯生长对SiC衬底的原子制造机制:基于新的电荷转移键序型电位的大规模分子动力学模拟
机译:Ni(111)表面化学气相沉积石墨烯生长的分子动力学模拟
机译:第一个原理石墨烯生长的分子动力学模拟镍(111)表面
机译:在原子模拟中扩展时间尺度:扩散分子动力学方法。
机译:使用完全原子分子动力学模拟对纤连蛋白片段在表面的吸附
机译:Ni(111)表面单层石墨烯生长的大规模原子模拟:基于新一代碳-金属势的分子动力学模拟
机译:使用Lennard-Jones电位的fcc(100),(110)和(111)表面的声子。分子动力学模拟与板坯技术计算的比较