半导体工艺中后蚀刻残留物的去除

摘要

本发明公开了一种从包含低k介电材料的衬底中清洗蚀刻残留物的方法，所述方法包括以下步骤：使衬底与包含H₂SiF₆或HBF₄、有机溶剂、胺、腐蚀抑制剂和水的成分相接触，所述成分能够使后蚀刻残留物片状脱落并使氧化物损失最小化，并且所述成分具有低于7的pH。