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一种单片集成三轴隧穿磁电阻的磁传感器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种单片集成三轴隧穿磁电阻的磁传感器及其制备方法,该传感器包括:衬底、第一TMR磁阻单元、第二TMR磁阻单元、第三TMR磁阻单元、固定电阻、磁通导磁器、第一全桥电路、第二全桥电路以及半桥电路,其中:多个第一TMR磁阻单元位于第一全桥电路的四个桥臂上;多个第二TMR磁阻单元位于半桥电路的一对相对的桥臂上,多个固定电阻位于半桥电路的另一对相对的桥臂上;多个第三TMR磁阻单元位于第二全桥电路的四个桥臂上;第一全桥电路、第二全桥电路以及半桥电路均位于衬底上。本发明在单一衬底中且一次集成磁传感器的三轴,降低了成本,大幅度提高了器件的精度。

著录项

  • 公开/公告号CN111596239B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航空航天大学;

    申请/专利号CN202010542080.9

  • 发明设计人 杨怀文;赵巍胜;曹志强;冷群文;

    申请日2020-06-15

  • 分类号G01R33/09(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人王涛;汤在彦

  • 地址 100191 北京市海淀区学院路37号

  • 入库时间 2022-08-23 12:09:18

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