形成于绝缘层上有半导体(SOI)结构上的存储器元件

摘要

本发明是有关于一种形成于绝缘层上有半导体(SOI)结构上的存储器元件。该存储器元件形成于绝缘层上有半导体(SOI)结构之上，SOI结构包括一基底、一绝缘层位于基底之上和一半导体层位于绝缘层之上。存储器元件具有一位于SOI结构的存储区域的存储器阵列、复数个第一基底接触位于存储器元件的周边区域和复数个第二基底接触位于SOI结构的存储区域，其中第一基底接触和第二基底接触形成于半导体层及介电层内并透出半导体层以电性连结SOI结构的基底。