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公开/公告号CN107423230B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-13
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201710357927.4
发明设计人 吴成一;金灿景;孙钟弼;
申请日2017-05-19
分类号G06F12/02(20060101);G06F12/0893(20160101);G06F11/10(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人邵亚丽;张泓
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 12:08:05
机译: 存储器模块,具有该存储器模块的计算系统及其测试标签错误的方法
机译: 具有相同功能的内存模块计算系统及其测试标签错误的方法
机译:上测试板的DDR2-SDRAM的VREF噪声容限测量方法模拟真实的存储器模块
机译:三重模块冗余现场可编程门阵列的单事件测试方法和系统错误率分析
机译:具有不可预测的测试错误的晶圆测试过程动态调度的知识获取方法的比较
机译:相变存储器的存储器模块级测试和错误行为
机译:具有外部存储器的神经网络的临时护理模块=具有外部存储器的神经网络的临时注意力模块
机译:使用SOC的冗余机制测试和修复存储器的最佳方法
机译:具有长短期存储器(LSTM)方法的高压直流系统(MMC-HVDC)中模块化多级转换器的开路故障检测和分类
机译:遥测系统和子系统的测试方法:第5卷:数字记录器/再生器系统和记录器存储器模块的测试方法。